ISBN/价格: | 978-7-115-58481-6:CNY149.00 |
作品语种: | chi |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 高压厚膜SOI-LIGBT器件关键技术/.张龙, 孙伟锋, 刘斯扬等著 |
出版发行项: | 北京:,人民邮电出版社:,2023.07 |
载体形态项: | 201页:;+图 (部分彩图):;+24cm |
丛编项: | 电子信息前沿专著系列 |
一般附注: | “十四五”时期国家重点出版物出版专项规划项目 国家出版基金项目 |
提要文摘: | 本书共7章: 首先介绍了高压厚膜SOI-LIGBT器件的工作原理, 分析了器件的耐压、导通、关断原理 ; 然后围绕高压厚膜SOI-LICBT器件的关键技术, 研究了高压互连线屏蔽技术、电流密度提升技术、快速关断技术三大类技术, 分析了U型沟道电流密度提升技术、双沟槽互连线屏蔽技术、复合集电极快速关断技术等9种技术 ; 围绕高压厚膜S0I-LIGBT器件的鲁棒性, 研究了关断失效、短路失效、开启电流过冲、低温特性漂移 ; 最后, 探讨了高压厚膜SOI-LIGBT器件的工艺和版图。 |
并列题名: | Hign-voltage LIGBT on thick soi: key technologies eng |
题名主题: | 厚膜 半导体功能器件 研究 |
中图分类: | TN389 |
个人名称等同: | 张龙 著 |
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个人名称等同: | 孙伟锋 著 |
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个人名称等同: | 刘斯扬 著 |
记录来源: | CN 人天书店 20230920 |